|
|||||
|
|
| 高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性 | |
| 引用本文： | 朱东海,王占国,梁基本,徐波,朱战萍,张隽,龚谦,金才政,丛立方,胡雄伟,韩勤,方祖捷,刘斌,屠玉珍.高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性[J].半导体学报,1997,18(5):391-394. |
| 作者姓名： | 朱东海 王占国 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 金才政 丛立方 胡雄伟 韩勤 方祖捷 刘斌 屠玉珍 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所 [2]国家光电子工艺中心 |
| 摘 要： | 本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％． |
| 关 键 词： | 单量子阱 激光器 材料生长 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |