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| ZnO－B_2O_3－SiO_2系统的介电性能研究 | |
| 引用本文： | 吴霞宛,尹萍,桂东,杜伟.ZnO－B_2O_3－SiO_2系统的介电性能研究[J].硅酸盐学报,1996(5). |
| 作者姓名： | 吴霞宛 尹萍 桂东 杜伟 |
| 作者单位： | 天津大学电子工程系 |
| 摘 要： | 对ＺｎＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０－４，αＣ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０－５／℃。调整各组分，获得一系列αＣ＞０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０１３Ω，αＣ＝０±３０×１０－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低介热稳定多层陶瓷电容器 |
| 关 键 词： | 氧化锌氧化硼氧化硅系，超低介电常数，中温烧结，正介电常数温度系数 |
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