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用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜
引用本文:赵印中,王洁冰,邱家稳,许旻,李强勇. 用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜[J]. 真空与低温, 2003, 9(1): 13-16,34
作者姓名:赵印中  王洁冰  邱家稳  许旻  李强勇
作者单位:兰州物理研究所,甘肃,兰州,730000
摘    要:采用氧化铟锡(ITO)陶瓷靶(质量分数为90%的In2O3与10%的SnO2)作为溅射源,通过交流孪生靶反应磁控溅射制备出了性能优良的ITO薄膜,其光谱透射率大于85%。结合对所镀制ITO薄膜的表面形貌及化学成分分析,研究了反应气体流量、退火等工艺参数对ITO薄膜光学和电学性能的影响。

关 键 词:孪生靶磁控溅射  ITO  透明导电
文章编号:1006-7086(2003)01-0013-04
修稿时间:2003-01-06

REACTIVE SPUTTERING OF INDIUM TIN OXIDE THIN FILMS USING AC TWIN-TARGET
ZHAO Yin|zhong,WANG Jie|bing,QIU Jia|wen,XU Min,LI Qiang|yong. REACTIVE SPUTTERING OF INDIUM TIN OXIDE THIN FILMS USING AC TWIN-TARGET[J]. Vacuum and Cryogenics, 2003, 9(1): 13-16,34
Authors:ZHAO Yin|zhong  WANG Jie|bing  QIU Jia|wen  XU Min  LI Qiang|yong
Abstract:Thin films of indium tin oxide have been prepared by AC Twin|target reactive sputtering from indium tin oxide ceramics targets. The optical transmittance of samples exceeds 85%. The effect of technics parameters on the properties of indium tin oxide thin films has been studied.;
Keywords:twin-target sputtering  ITO  electrically conductive and optically transparent
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