|
|||||
|
|
| 利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究 | |
| 作者姓名： | 陈茂瑞 陈坤基 姜建功 施伟华 |
| 作者单位： | 南京大学物理系固体微结构物理实验室 |
| 摘 要： | 本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术（ＬａｙｅｒｂｙＬａｖｅｒ）沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化．本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究． |
| 关 键 词： | 硅 薄膜 逐层生长 半导体材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |