| Ga2O3:Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究 |
| |
| 引用本文： | 张修太,黄蕙芬.Ga2O3:Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究[J].电子器件,2004,27(4):581-584. |
| |
| 作者姓名： | 张修太 黄蕙芬 |
| |
| 作者单位： | 东南大学电子工程系,南京,210096;东南大学电子工程系,南京,210096 |
| |
| 基金项目： | 本课题得到江苏省自然科学基金项目支持(BK2001012). |
| |
| 摘 要： | 采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3：Mn电致发光膜，并进行了不同温度热处理，制备了电致发光器件。用X射线衍射(XRD)分析了Ga2O3：Mn薄膜晶体结构；用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了Ga：O。：Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明，Ga2O3：Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高，且晶体结构和结晶取向也随之改变；经500℃热处理的Ga2O3：Mn薄膜电致发光器件发绿光，其光谱主峰分布在495～535nm之间，且随驱动电压增高，谱峰出现蓝移现象。
|
| 关 键 词： | 电致发光 电子束蒸发 Ga2O3∶Mn薄膜 晶体结构 荧光分光光度计 |
| 文章编号： | 1005-9490(2004)04-0581-04 |
Microstructure and Spectral Properties of Ga2O3:Mn Electroluminescent phosphor Thin Films |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
