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| 电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟 | |
| 引用本文： | 孙霞,丁泽军,肖沛,吴自勤. 电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟[J]. 电子显微学报, 2004, 23(4): 363-363 |
| 作者姓名： | 孙霞 丁泽军 肖沛 吴自勤 |
| 作者单位： | 中国科技大学结构分析重点实验室,物理系,安徽,合肥,230026 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (No .60 3 0 60 0 6,10 0 2 5 42 0 ,90 2 0 60 0 9) |
| 摘 要： | 电子束光刻不受衍射效应的限制，具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前，国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。 |
| 关 键 词： | 电子束光刻 邻近效应 Monte Carlo模拟 抗蚀剂 分辨率 |
Monte Carlo simulation of proximity effect in beam lithographys |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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