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射频宽带低噪声放大器的设计与仿真
引用本文:郑林苓,汤清华,吴国安.射频宽带低噪声放大器的设计与仿真[J].电讯技术,2007,47(3):98-100.
作者姓名:郑林苓  汤清华  吴国安
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074
摘    要:介绍了一种射频宽带低噪声放大器的设计过程,包括稳定性分析、偏置电路设计和匹配电路设计等内容.设计采用E-PHEMT晶体管(ATF-55143)器件模型和其他元件模型.通过采用ADS技术进行电路和电磁仿真,结果表明设计的放大器完全满足性能指标要求.

关 键 词:宽带低噪声放大器  电路设计  仿真
文章编号:1001-893X(2007)03-0098-03
收稿时间:2006/8/28 0:00:00
修稿时间:2006-08-282006-12-20

Design and Simulation of a RF Broadband Low Noise Amplifier
ZHENG Lin-ling,TANG Qing-hu,WU Guo-an.Design and Simulation of a RF Broadband Low Noise Amplifier[J].Telecommunication Engineering,2007,47(3):98-100.
Authors:ZHENG Lin-ling  TANG Qing-hu  WU Guo-an
Affiliation:Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074,China
Abstract:A RF broadband low noise amplifier(LNA) design is introduced.The design includes stability analysis,bias networks design,matching networks design and so on.The E-PHEMT transistor(ATF-55143)model and some other electronic components are adopted in this design.With ADS technology,the simulation of circuit and EM is performed and the result shows that the amplifier can meet the performance requirements.
Keywords:broadband low noise amplifier(LNA)  circuit design  simulation
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