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| 极板间距对反应溅射GexG1—x薄膜的影响 | |
| 引用本文： | 宋建全,刘正堂.极板间距对反应溅射GexG1—x薄膜的影响[J].西北工业大学学报,1998,16(4):637-640. |
| 作者姓名： | 宋建全 刘正堂 |
| 作者单位： | 西北工业大学 |
| 摘 要： | 利用射频磁控反应溅射法，以Ａｒ，ＣＨ４为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜，研究了极板间距对沉积的影响。结果表明，随极板间距的减小，沉积速率增大，薄膜的均匀性变差，薄膜中Ｇｅ／Ｃ的原子比增加。 |
| 关 键 词： | 薄膜 反应溅射法 极板间距 碳化锗 半导体 |
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