首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

深亚微米薄膜CMOS/SOI电路的集成器件线路模拟
引用本文:张兴,石涌泉.深亚微米薄膜CMOS/SOI电路的集成器件线路模拟[J].电子学报,1996,24(2):96-99.
作者姓名:张兴  石涌泉
作者单位:北京大学微电子学研究所,陕西微电子学研究所
摘    要:开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米CMOS/SOI电路的集成器件线路模拟软件,该模拟软件采用集成数值模型,将薄膜SOI器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起,实现了薄膜亚微米、深亚微米CMOS/SOI电路的精确数值模拟,利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为50 ̄400nm、沟道长度为0.15 ̄1.0um的CMOS/SOI环形振荡器电路,使我们对深亚微米薄膜CMOS/SOI环振的特性及工作机理了较

关 键 词:CMOS/SOI  集成数值模型  环振  薄膜电路

Integrated Device and Circuit Simulation of Thin Film Deep Submicron CMOS/SOI Circuits
Zhang Xing.Integrated Device and Circuit Simulation of Thin Film Deep Submicron CMOS/SOI Circuits[J].Acta Electronica Sinica,1996,24(2):96-99.
Authors:Zhang Xing
Abstract:
Keywords:Thin film  CMOS/SOI  Integrated numerical model  Ring oscillators  
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号