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深亚微米薄膜CMOS/SOI电路的集成器件线路模拟
引用本文:张兴 石涌泉. 深亚微米薄膜CMOS/SOI电路的集成器件线路模拟[J]. 电子学报, 1996, 24(2): 96-99
作者姓名:张兴 石涌泉
作者单位:北京大学微电子学研究所,陕西微电子学研究所
摘    要:开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米CMOS/SOI电路的集成器件线路模拟软件,该模拟软件采用集成数值模型,将薄膜SOI器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起,实现了薄膜亚微米、深亚微米CMOS/SOI电路的精确数值模拟,利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为50 ̄400nm、沟道长度为0.15 ̄1.0um的CMOS/SOI环形振荡器电路,使我们对深亚微米薄膜CMOS/SOI环振的特性及工作机理了较

关 键 词:CMOS/SOI 集成数值模型 环振 薄膜电路

Integrated Device and Circuit Simulation of Thin Film Deep Submicron CMOS/SOI Circuits
Zhang Xing. Integrated Device and Circuit Simulation of Thin Film Deep Submicron CMOS/SOI Circuits[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, 24(2): 96-99
Authors:Zhang Xing
Abstract:
Keywords:Thin film  CMOS/SOI  Integrated numerical model  Ring oscillators  
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