| NO和N2O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响 |
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| 引用本文： | 周婷,叶志镇,赵炳辉,徐伟中,朱丽萍. NO和N2O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响[J]. 无机材料学报, 2005, 20(4): 955-958 |
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| 作者姓名： | 周婷 叶志镇 赵炳辉 徐伟中 朱丽萍 |
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| 作者单位： | 浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费"973"(G20000683);国家自然科学重点项目(90201038) |
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| 摘 要： | 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm,同时样品的空穴浓度最高,为2.17×1018cm-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.
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| 关 键 词： | p型ZnO 导电性能 MOCVD |
| 文章编号： | 1000-324X(2005)04-0955-04 |
| 收稿时间： | 2004-06-03 |
| 修稿时间： | 2004-07-19 |
Effects of NO and N2O Flow Rates on Electronic Properties of p-type ZnO Thin Films |
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| ZHOU Ting,YE Zhi-zhen,ZHAO Bing-hui,XU Wei-zhong,ZHU Li-Ping. Effects of NO and N2O Flow Rates on Electronic Properties of p-type ZnO Thin Films[J]. Journal of Inorganic Materials, 2005, 20(4): 955-958 |
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| Authors: | ZHOU Ting YE Zhi-zhen ZHAO Bing-hui XU Wei-zhong ZHU Li-Ping |
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| Affiliation: | StateKeyLaboratoryofSiliconMaterials;ZhejiangUniversity;Hangzhou310027;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-type ZnO electronic properties MOCVD |
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