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| ST推出先进的1200 V IGBT | |
| 作者姓名： | 江安庆 |
| 摘 要： | 正2014年7月8日,意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,In-sulated-GateBipolarTransistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC,Power-FactorCorrec-tion)转换器等应用的能效和耐用性。意法半导体的新H系列1200VIGBT将关断损耗和导通损耗降低多达15%。饱和电压(Vce(sat))减低至2.1V(在标准集极电流和100°C下的典型 |
| 关 键 词： | 意法半导体 太阳能逆变器 关断损耗 功率因数校正 不间断电源 ST V IGBT 导通损耗 饱和电压 耐用性 |
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