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| 用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质 | |
| 引用本文： | 张秀淼,石国华,杨爱龄.用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质[J].半导体学报,1993,14(10):644-647. |
| 作者姓名： | 张秀淼 石国华 杨爱龄 |
| 作者单位： | 杭州大学电子工程系，杭州大学电子工程系，杭州大学电子工程系 杭州 310028，杭州 310028，杭州 310028 |
| 摘 要： | 本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及其成键状态,结果表明氮化硅膜中的氢含量是较高的,且氢原子大部分都与氮原子键合,在一定的意义上,可以把此膜看作是硅-氮-氢三元系。 |
| 关 键 词： | 氮化硅 杂质 俄歇电子能谱 成份 |
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