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稀释倍数对弱碱性铜粗抛液性能的影响
作者姓名:蒋勐婷  刘玉岭  王辰伟  袁浩博  陈国栋  刘伟娟
作者单位:河北工业大学微电子研究所;
基金项目:国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
摘    要:研究了三种不同稀释倍数的弱碱性铜粗抛液,原液采用商用FA/O型铜抛光液,稀释倍数分别为1倍、3倍和5倍。基于化学机械抛光(CMP)作用机理,在相同工艺条件下分析了三种粗抛液对铜膜的平均去除速率、片内非均匀性(WIWNU)和平坦化性能等指标的影响。铜膜的抛光实验结果表明:稀释3倍的弱碱性铜粗抛液对铜膜平均去除速率高达869.76 nm/min,片内非均匀性仅为2.32%。四层图形片的平坦化测试结果显示,图形片初始高低差为312.5 nm,采用稀释3倍的粗抛液抛光20 s后,有效消除高低差261.5 nm,基本实现了全局平坦化,满足45 nm技术节点的要求。

关 键 词:弱碱性  铜粗抛液  化学机械抛光(CMP)  去除速率  片内非均匀性(WIWNU)
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