| 退火工艺对注F MOSFET辐照特性的影响 |
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| 引用本文： | 张国强,赵元富.退火工艺对注F MOSFET辐照特性的影响[J].固体电子学研究与进展,1993,13(1):45-49. |
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| 作者姓名： | 张国强 赵元富 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所，中国科学院新疆物理研究所，中国科学院新疆物理研究所，中国科学院新疆物理研究所，中国科学院新疆物理研究所，骊山微电子研究所，骊山微电子研究所，骊山微电子研究所 乌鲁木齐 830011，乌鲁木齐 830011，乌鲁木齐 830011，乌鲁木齐 830011，乌鲁木齐 830011，陕西临潼 710600，陕西临潼 710600，陕西临潼 710600 |
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| 摘 要： | 比较了注F后900℃ N_2退火30分钟和950℃ N_2退火10分钟两种退火方式制作的P沟MOSFET和N沟MOSFET的电离辐照行为。结果发现,注F后900℃ N_2退火30分钟具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力。用退火工艺影响栅介质中缺陷的消除模型对实验结果进行了讨论。
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| 关 键 词： | 氧化物电荷 界面态 阈电压 MOSFET I_(ds)—V_(gs)曲线 电离辐射 |
The Influences of Annealing Technologies on the Irradiation Characteristics of F-Implanted MOSFETs |
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| Zhang Guoqiang,Yu Xiefen,Gao Wenyu,Ren Diyuan,Yan Rongliang.The Influences of Annealing Technologies on the Irradiation Characteristics of F-Implanted MOSFETs[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1993,13(1):45-49. |
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| Authors: | Zhang Guoqiang Yu Xiefen Gao Wenyu Ren Diyuan Yan Rongliang |
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| Abstract: | The ionizing irradiation behaviours of P-channel and N-channel F-irnplanted MOSFETs with annealing conditions in N2 at 900'C for 30 minutes and at 950 C for 10 minutes have been compared. The results have shown that the MOSFETs with former annealing condition have stronger abilites of restraining ra-diation-induced oxide charges and interface states. The experimental results have
been explained by a model——the postimplantation annealing conditions affecting
the elimination of defects in gate oxides. |
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| Keywords: | Interface States Oxide Charges Threshold Voltage MOSFET Ids-Vgs Curves Ionizing Radiation |
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