| n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制 |
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| 引用本文： | 张继荣,殷海丰,佟丽英,刘锋,赵光军. n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制[J]. 半导体技术, 2004, 29(9): 74-76 |
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| 作者姓名： | 张继荣 殷海丰 佟丽英 刘锋 赵光军 |
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| 作者单位： | 中电集团第四十六研究所,天津,300220;中电集团第四十六研究所,天津,300220;中电集团第四十六研究所,天津,300220;中电集团第四十六研究所,天津,300220;中电集团第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响.采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性.
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| 关 键 词： | 硅单晶 电阻率 均匀性 磁场强度 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)09-0074-03 |
Procedures to Control the Radial Resistivity Uniformity of n_Type High Resistivity Si Crystal |
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| ZHANG Ji-rong,YIN Hai-feng,TONG Li-ying,LIU Feng,ZHAO Guang-jun. Procedures to Control the Radial Resistivity Uniformity of n_Type High Resistivity Si Crystal[J]. Semiconductor Technology, 2004, 29(9): 74-76 |
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| Authors: | ZHANG Ji-rong YIN Hai-feng TONG Li-ying LIU Feng ZHAO Guang-jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si crystal resistivity uniformity magnetic field intensity |
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