1.3μm InGaAsP/InP DH LED的SEM分析

本文利用扫描电镜(SEM)对1.3μmInGaAsP/InP DHLED的电学特性参数进行了分析。对影响输出功率的诸因素进行了理论分析和数学计算,绘出了一套曲线,并大量观测了p-n结结位、有源层厚度和均匀性对输出功率和上升时间的影响。本文首次利用扫描电镜的电子束感生电流(EBIC)信号对DHLED中InGaAsP有源层的少子扩散长度进行非破坏性的测量、计算。编拟了专用计算程序“DLSEM”,使这项测量工作实现了快速、简便和精确。