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| 磁隧穿振荡研究GaAs／AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合 | |
| 引用本文： | 刘剑,李月霞.磁隧穿振荡研究GaAs／AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合[J].红外与毫米波学报,1996,15(2):113-117. |
| 作者姓名： | 刘剑 李月霞 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 报道了非对称ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构（ＤＢＳ）中的Γ－Ｘ－Γ磁隧穿振荡现象，用磁场倒数周期求得ＡｌＡｓ层中Ｘ谷和ＧａＡｓ层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好，良好的振荡特性可作为定量研究Γ－Ｘ耦合强度的灵敏的实验办法。 |
| 关 键 词： | 磁隧穿 Γ－X混合 双势垒 砷化镓 砷化铝 |
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