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分类号
杂志ISSN号
磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合
作者姓名:
刘剑 李月霞
作者单位:
中国科学院半导体研究所
摘 要:
报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好,良好的振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法。
关 键 词:
磁隧穿 Γ-X混合 双势垒 砷化镓 砷化铝
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