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静压下(CdSe)m/(ZnSe)n—ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振…
引用本文:张江泉,彭中灵.静压下(CdSe)m/(ZnSe)n—ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振…[J].红外与毫米波学报,1996,15(2):107-112.
作者姓名:张江泉  彭中灵
摘    要:在静压和液氮温度下观察到(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达4阶的类ZnSeLO多声子喇曼散射,并观察到厚ZnSe势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ZnSeLO声子散射。结果表明,加压后(CdSe)m/(ZnSe)n短周期超晶格中的类ZnSe的1LO和2LO声子模频率分别以3.76和7.11cm^-1/GPa的速率向高频方向移动,超晶格阱层光致发光峰的压力系数

关 键 词:量子阱  喇曼散射  光致发光  静压  半导体  硒化锌
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