| CdTe／ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究 |
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| 引用本文： | 张新昌,张勤耀,徐震,黄河. CdTe／ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究[J]. 红外与毫米波学报, 1996, 15(6): 417-422 |
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| 作者姓名： | 张新昌 张勤耀 徐震 黄河 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，华南师范大学物理系 |
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| 摘 要： | 利用ＭＩＳ结构研究了长、中、短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系．结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面电学参数依赖于界面预处理条件，在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定电荷密度为－４×１０１０ｃｍ－２，慢态密度为５．１×１０１０ｃｍ－２，界面态密度为２．７×１０－１１ｅＶ－１．ｃｍ－２．
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| 关 键 词： | 碲镉汞，MIS，表面钝化，界面电学特性 |
A STUDY OF INTERFACE ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR CdTe/ZnS PASSIVATION FILMS |
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| Zhang Xinchang Zhang Qinyao Xu Zhen. A STUDY OF INTERFACE ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR CdTe/ZnS PASSIVATION FILMS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1996, 15(6): 417-422 |
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| Authors: | Zhang Xinchang Zhang Qinyao Xu Zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe MIS surface passivation interface electrical characteristics. |
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