高性能双极／CMOS工艺—CIT2

已经研究了一种新型的双极/CMOS工艺集电极注入技术2(CIT2),其光刻条宽为1.5μm。用标准双极工艺制造的LSI芯片,通常包括埋层、外延和隔离扩散等高温工艺,其成品率比MOS电路低,又难以与CMOS器件组合,因而就开发了注入集电极的新工艺。CIT技术既不采用外延,又不采用埋层,可以在双极或MOS生产线上实现。 用这种工艺制作了截止频率高(fT-5GHz)的npn晶体管,又作出了延迟时间为180ps的ECL门。非本征基极的整个表面为PtSi所覆盖,这样,它的电阻被降到20Ω。 n沟和P沟MOS晶体管的性能可与用常规的CMOS工艺制出的性能相媲美。在n阱内形成p沟MOS晶体管。p沟和n沟MOS晶体管的漏和源都直接与多晶硅相接,其最小传输延迟为280ps。