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解理硅微结构的声子形变潜能
引用本文:陈建军,薛晨阳,张斌珍,张文栋.解理硅微结构的声子形变潜能[J].中国机械工程,2005,16(Z1):334-336.
作者姓名:陈建军  薛晨阳  张斌珍  张文栋
作者单位:中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原,030051
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50405025)
摘    要:利用Voigt-Reuss-Hill平均方法,对不同生长方向的微纳米材料结构的声子形变潜能进行了计算,得出了硅纳米材料不同生长方向上的声子形变潜能,为硅材料的定向生长提供了较好的参考依据.

关 键 词:Voigt-Reuss-Hill平均  微纳米材料  声子形变潜能  定向生长  
文章编号:1004-132X(2005)S1-0334-03
修稿时间:2005年3月28日

Phonon Deformation Potentials of Textured Silicon Microstructure
Chen Jianjun,Xue Chenyang,Zhang Binzhen,Zhang Wendong.Phonon Deformation Potentials of Textured Silicon Microstructure[J].China Mechanical Engineering,2005,16(Z1):334-336.
Authors:Chen Jianjun  Xue Chenyang  Zhang Binzhen  Zhang Wendong
Abstract:
Keywords:
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