| 氧化锌薄膜的p型掺杂及其制备方法 |
| |
| 引用本文： | 许积文,王华,任明放,杨玲.氧化锌薄膜的p型掺杂及其制备方法[J].兵器材料科学与工程,2009,32(3). |
| |
| 作者姓名： | 许积文 王华 任明放 杨玲 |
| |
| 作者单位： | 桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004;桂林电子科技大学,广西信息材料重点实验室,广西,桂林,541004;桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004 |
| |
| 基金项目： | 广西高校百名中青年学科带头人资助计划 |
| |
| 摘 要： | 氧化锌(ZnO)是直接宽带隙半导体材料,有高达60 meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料。有效的p型ZnO薄膜掺杂是实现ZnO基光电器件的基础,虽然取得一定的进展,但从性能上来看,远远不及n型ZnO薄膜,而且重复性差。分析难于实现氧化锌p型掺杂的主要原因,综述近年来出现的p型掺杂的新方法、掺杂机制及其有效的实现工艺,指出今后的发展趋势和研究重点。
|
| 关 键 词： | ZnO P型掺杂 综述 制备方法 |
Doping mechanism and preparing technology of p-type ZnO |
| |
| XU Jiwen,WANG Hua,REN Mingfang,YANG Ling.Doping mechanism and preparing technology of p-type ZnO[J].Ordnance Material Science and Engineering,2009,32(3). |
| |
| Authors: | XU Jiwen WANG Hua REN Mingfang YANG Ling |
| |
| Affiliation: | 1.Department of Information Material Science and Engineering;Guilin University of Electronic Technology;Guilin 541004;China;2.Key Laboratory of Information Materials of Guangxi;China |
| |
| Abstract: | Zinc oxide(ZnO) is considered to be the next generation shorter wavelength semiconductor because of wide band gap and 60 meV exciton binding energy.Researches indicate that n-type ZnO films can be well prepared because of unipolarity of ZnO caused by the intrinsic donor defects.But how to realize p-type ZnO films through doping is the key step,this is due to the high self-compensating process on doping derived from the donor defects and lacking of shallow acceptor doping with smaller solubility.This paper s... |
| |
| Keywords: | ZnO |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
