| D/A转换器抗辐射加固技术研究 |
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| 引用本文： | 张加斌,石建刚,李儒章,李荣强,王定军. D/A转换器抗辐射加固技术研究[J]. 微电子学, 2008, 38(2): 161-165 |
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| 作者姓名： | 张加斌 石建刚 李儒章 李荣强 王定军 |
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| 作者单位： | 1. 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆,400060
2. 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 介绍了一种16位D/A转换器抗辐射加固设计和工艺技术。主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述;重点对BiCMOS加固工艺的器件结构设计原理进行了详细阐述,给出了器件仿真数据和实验结果;最后,对辐照试验进行了分析。采用该加固工艺研制的16位D/A转换器实现了转换速率大于30 MSPS,建立时间小于50 ns,线性误差和微分误差均小于±8 LSB等性能指标;其抗中子辐射水平为5×1013n/cm2,抗γ总剂量辐射水平达5.0×103Gy(Si)。
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| 关 键 词： | D/A转换器 γ总剂量辐射 抗辐射加固 |
| 文章编号： | 1004-3365(2008)02-0161-05 |
| 修稿时间： | 2007-11-05 |
Investigation into Radiation-Hardening Technology for D/A Converter |
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| ZHANG Jiabin,SHI Jiangang,LI Ruzhang,LI Rongqiang,WANG Dingjun. Investigation into Radiation-Hardening Technology for D/A Converter[J]. Microelectronics, 2008, 38(2): 161-165 |
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| Authors: | ZHANG Jiabin SHI Jiangang LI Ruzhang LI Rongqiang WANG Dingjun |
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