| Si(111)上生长LiNbO_3薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 纪仁龙. Si(111)上生长LiNbO_3薄膜的研究[J]. 上海电力学院学报, 2010, 0(9) |
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| 作者姓名： | 纪仁龙 |
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| 作者单位： | 天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室; |
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| 基金项目： | 天津市应用基础研究计划资助项目(06TXTJJC14600) |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射的方法,在Si(111)衬底上制备了LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了衬底温度、退火温度和溅射气体压强对LiNbO3薄膜结晶和表面形貌的影响,并用椭圆偏振仪测量了薄膜的厚度和折射率。结果表明:衬底温度为450℃时制备的薄膜,退火前后都没有LiNbO3相生成;衬底温度为500～600℃时,LiNbO3薄膜出现(012)、(104)和(116)面衍射峰,经600℃退火后3个衍射峰的强度加强;衬底温度为600℃时,经600～900℃退火得到的LiNbO3薄膜,除出现(012)、(104)和(116)面衍射峰外,还出现(006)面衍射峰;溅射气体压强从0.8 Pa增大到2.4 Pa时,经800℃退火后得到的LiNbO3薄膜表面晶粒团簇变小,而0.8 Pa制备的薄膜经800℃退火后LiNbO3相的结晶程度较其它压强下完善;900℃退火后得到的LiNbO3薄膜折射率为2.25,与LiNbO3晶体相当。
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| 关 键 词： | LiNbO3薄膜 磁控溅射 衬底温度 退火 折射率 |
Study of growth of LiNbO_3 film on Si(111) substrate |
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| JI Ren-long. Study of growth of LiNbO_3 film on Si(111) substrate[J]. Journal of Shanghai University of Electric Power, 2010, 0(9) |
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| Authors: | JI Ren-long |
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| Affiliation: | Tianjin Key Laboratory for Photoelectric Materials , Devices,Tianjin University of Technology,Tianjin 300191,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LiNbO3 film sputtering substrate temperature annealing |
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