| 硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响 |
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| 引用本文： | 赵剑涛,郜小勇,刘绪伟,杨根,陈永生,杨仕娥,卢景霄. 硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响[J]. 真空, 2008, 45(5) |
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| 作者姓名： | 赵剑涛 郜小勇 刘绪伟 杨根 陈永生 杨仕娥 卢景霄 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响.研究结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率、平均晶粒尺寸、晶化率和电导率均呈现相似的变化规律,而谱中出现的拐点由硅烷浓度决定.该变化规律可通过相应的薄膜生长的微观理论得到合理的解释.
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| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 硅烷浓度 晶化率 Raman散射谱 |
Influence of silane concentration on microstructural and electrical properties of microcrystalline silicon films |
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| ZHAO Jian-tao,GAO Xiao-yong,LIU Xu-wei,YANG Gen,CHEN Yong-sheng,YANG Shi-e,LU Jing-xiao. Influence of silane concentration on microstructural and electrical properties of microcrystalline silicon films[J]. Vacuum(China), 2008, 45(5) |
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| Authors: | ZHAO Jian-tao GAO Xiao-yong LIU Xu-wei YANG Gen CHEN Yong-sheng YANG Shi-e LU Jing-xiao |
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