| 高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器 |
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| 引用本文： | 岳爱文 张伟 詹敦平 王任凡 沈坤 石兢. 高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器[J]. 半导体学报, 2003, 24(7): 693-696 |
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| 作者姓名： | 岳爱文 张伟 詹敦平 王任凡 沈坤 石兢 |
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| 作者单位： | [1]武汉电信器件公司，武汉430074 [2]武汉大学物理系，武汉430072 |
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| 摘 要： | 报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器．研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0．82mW／mA和2．59mA，激光器在23mA时输出16mW最大光功率．氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA，其最大饱和光功率为5．5mW．
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| 关 键 词： | 砷化镓 垂直腔面发射激光器 半导体激光器 |
High Slope Efficiency and High Power 850nm Oxide-Confined Vertical Cavity Surface Emitting Lasers |
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| Yue Aiwen,Zhang Wei,Zhan Dunping,Wang Renfan,SHEN Kun,Shi Jing. High Slope Efficiency and High Power 850nm Oxide-Confined Vertical Cavity Surface Emitting Lasers[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 693-696 |
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| Authors: | Yue Aiwen Zhang Wei Zhan Dunping Wang Renfan SHEN Kun Shi Jing |
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| Keywords: | GaAs vertical cavity surface emitting lasers semiconductor lasers |
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