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| 用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究 | |
| 引用本文： | 熊大菁,侯苇.用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究[J].半导体技术,1998,23(2):45-50,60. |
| 作者姓名： | 熊大菁 侯苇 |
| 作者单位： | 清华大学微电子所 |
| 摘 要： | 制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合ＵＬＳＩ的应用。 |
| 关 键 词： | 超薄栅介质膜 击穿特性 ULSI 甚大规模 集成电路 |
Study on Ultra Thin Gate Dielectric Film Used in ULSI Circuit |
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| Xiong Dajing,Hou Wei.Study on Ultra Thin Gate Dielectric Film Used in ULSI Circuit[J].Semiconductor Technology,1998,23(2):45-50,60. | |
| Authors: | Xiong Dajing Hou Wei |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ultra thin dielectric film Breakdown characteristics Leakage current Hot carrier stress |
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