| InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性 |
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| 引用本文： | 齐鸣,徐安怀,艾立鹍,孙浩,朱福英.InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性[J].半导体学报,2007,28(Z1):182-185. |
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| 作者姓名： | 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 孙浩 朱福英 |
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| 作者单位： | 齐鸣（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;徐安怀（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;艾立鹍（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;孙浩（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;朱福英（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902) |
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| 摘 要： | 通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.
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| 关 键 词： | InP InGaP GaAs GSMBE HBT |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0182-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月21 |
Growth and Characterization of InP-Based and Phosphorous-Involved HBT Materials by GSMBE |
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