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| 长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器 | |
| 作者姓名： | 史常忻 K.Heime |
| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所(史常忻)，亚琛工业大学半导体电子学研究所(K.Heime) |
| 摘 要： | 本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W. |
| 关 键 词： | InGaAs MSM 光电探测器 暗电流 |
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