| 热壁外延ZnSe单晶薄膜 |
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| 引用本文： | 杨玉琨,吴连民.热壁外延ZnSe单晶薄膜[J].红外与毫米波学报,1991,10(1):57-60. |
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| 作者姓名： | 杨玉琨 吴连民 |
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| 作者单位： | 吉林大学分析测试实验中心，吉林大学分析测试实验中心，吉林大学分析测试实验中心，吉林大学分析测试实验中心，吉林大学分析测试实验中心，吉林大学分析测试实验中心 吉林，长春 130023，吉林，长春 130023，吉林，长春 130023，吉林，长春 130023，吉林，长春 130023，吉林，长春 130023 |
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| 基金项目： | 国家高技术计划新概念新构思探索研究资助项目 |
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| 摘 要： | 介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。
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| 关 键 词： | 热壁外延 硒化锌 薄膜 单晶 |
HWE GROWN ZnSe SINGLE CRYSTAL FILM~* |
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| YANG YUKUN,WU LIANMIN,MENG QINGJU,WANG HAIFENG,YANG HUI,SUN MINGYAN.HWE GROWN ZnSe SINGLE CRYSTAL FILM~*[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1991,10(1):57-60. |
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| Authors: | YANG YUKUN WU LIANMIN MENG QINGJU WANG HAIFENG YANG HUI SUN MINGYAN |
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| Abstract: | A simple HWE apparatus and the technology of using this appparatus to grown ZnSe single crystal epilayers on GaAs 100] plane are reported. The analysis of scanning electron microscope and X-ray diffraction shows that the epilayer of ZnSe single crystal is perfect. |
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| Keywords: | hot wall epitaxy (HWE) zinc selenide (ZnSe) epitaxial layers |
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