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| ITO薄膜的微结构表征及其组分特性 | |
| 引用本文： | 蔡琪,曹春斌,江锡顺,宋学萍,孙兆奇. ITO薄膜的微结构表征及其组分特性[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(3): 195-199 |
| 作者姓名： | 蔡琪 曹春斌 江锡顺 宋学萍 孙兆奇 |
| 作者单位： | 1. 安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039 2. 安徽农业大学理学院,合肥,230036 3. 滁州学院电子信息工程系,滁州,239012 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目;安徽省人才基金;安徽大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。 |
| 关 键 词： | ITO薄膜 直流磁控溅射 微结构 组分 |
| 文章编号： | 1672-7126（2007）03-0195-05 |
| 修稿时间： | 2006-05-22 |
Microstructures and Stoichiometries of Indium-Tin-Oxide Films |
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| Cai Qi,Cao Chunbin,Jiang Xishun,Song Xueping,Sun Zhaoqi. Microstructures and Stoichiometries of Indium-Tin-Oxide Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(3): 195-199 | |
| Authors: | Cai Qi Cao Chunbin Jiang Xishun Song Xueping Sun Zhaoqi |
| Affiliation: | 1. School of Physics and Material Science, Anhui University, Hefei 230039, China ; 2. School of Science, Anhui Agricultural University, Hefei 230036, China ; ,3. Department of Electronics and Information Engineering, Chuzhou College, Chuzhou 239012, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | ITO films DC magnetron sputtering Microstructure Composition |
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