| 深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法 |
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| 引用本文： | 李康,郝跃,刘红侠,马晓华,马佩军.深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法[J].半导体学报,2005,26(10):2038-2043. |
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| 作者姓名： | 李康 郝跃 刘红侠 马晓华 马佩军 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
(李康，郝跃，刘红侠，马晓华)，西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071(马佩军) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型. 提出了一种基于L-M (Levenberg-Marquardt）算法的多目标响应全域优化提取策略，并对可靠性模型参数进行优化提取. 分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法. 最后，给出了最优化参数提取的结果，并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性.
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| 关 键 词： | HCI 时变栅电流模型 参数提取 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）10-2038-06 |
| 收稿时间： | 2005-01-17 |
| 修稿时间： | 2005-06-01 |
A Multi-Objective Global Optimization Extraction for HCI Model Parameters in Deep-Submicron Devices |
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| Li Kang,Hao Yue,Liu Hongxia,Ma Xiaohua,Ma Peijun.A Multi-Objective Global Optimization Extraction for HCI Model Parameters in Deep-Submicron Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(10):2038-2043. |
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| Authors: | Li Kang Hao Yue Liu Hongxia Ma Xiaohua Ma Peijun |
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| Abstract: | A hot carrier injection degradation model for a DSM(deep submicron)pMOS device is studied,which is based on the physical model of a degradation gate current.A multi-objectives global optimization extracting method for reliability parameters realized by L-M (Levenberg-Marquardt) algorithms is proposed.The lower parametric sensitivity issues are analyzed and solved.A recursion algorithm for quantities of injected charges is proposed for accelerating the process.Finally,the results of optimal parameters are listed from both the theory and the measurements for comparison. |
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| Keywords: | HCI time-dependence gate current model parameter extraction |
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