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| 开创了第二代硅新技术的Si／Si1—xGex异质器件 | |
| 作者姓名： | 罗浩平 蔡金华 |
| 作者单位： | 无锡华晶中央研究所 |
| 摘 要： | 综述了国内外Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的发展状况，指出了Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的特点和优越性，分析了该器件的结构机理和制造技术，阐述了该器件的应用前景和对微电子技术将产生的重大影响，并提出了发展我国Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的建议。 |
| 关 键 词： | Si／Si1－xGex 异质结 应变材料 硅 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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