硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子（I）氩气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响

采用中频交流磁控溅射方法，在Mo层上沉积了CuInGa（CIG）预制膜。以Ar为载气，采用固态硒化法制备获得了cu（In1-xGax）Se2（CIGS）吸收层薄膜，考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份，采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明，在不同血流量下制备的CIGS薄膜均具有单一的黄铜矿相结构，薄膜具有（112）面的择优取向。随着Ar流量的增大，CIGS薄膜晶粒直径增大。当舡流量为0．20m^3／h时，薄膜的孔隙最少。当Ar流量达到0．40m^3/h时，薄膜晶粒出现明显的柱状生长。当心流量为0．10、0．20和0．30m^3/h时，所制得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比，处于弱P型的理想范围。