| 自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析 |
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| 引用本文： | 周斌,黄耀东,李忻,孙骐,车录锋,沈军,吴广明,唐伟星,熊斌,王跃林. 自截止腐蚀制备Si平面薄膜中的B杂质分析[J]. 原子能科学技术, 2002, 36(4): 364-366 |
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| 作者姓名： | 周斌 黄耀东 李忻 孙骐 车录锋 沈军 吴广明 唐伟星 熊斌 王跃林 |
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| 作者单位： | 1. 同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092
2. 上海冶金研究所,传感器国家重点联合实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家"863"惯性约束聚变领域资助项目(863-416-3-6.6;863-416-3.4.7) |
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| 摘 要： | 以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度3－4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。制备过程中,重掺杂B杂质的引入会对获得的Si平面薄膜的应用带来影响。本工作研究采用次级离子质谱（SIMS）测量Si平面薄膜中B杂质的浓度分布,结合在软X光波段下同步辐射直接测得的Si薄膜的透过率结果,分析B等杂质对Si平面薄膜性能的影响。
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| 关 键 词： | Si平面薄膜 重掺杂 自截止腐蚀 杂质分布 激光约束聚变 硼 |
| 文章编号： | 1000-6931(2002)04/05-0364-03 |
| 修稿时间： | 2001-08-25 |
Measurement on Concentration of Boron Impurity in Thin Silicon Foils Prepared by Heavy-doped Self-stop Etching Process |
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