| Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究 |
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| 引用本文： | 罗尹虹,龚建成,何宝平,郭红霞.Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究[J].核电子学与探测技术,2005,25(6):846-849. |
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| 作者姓名： | 罗尹虹 龚建成 何宝平 郭红霞 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,陕西,西安,710024 |
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| 摘 要： | 在器件的金属化层及封装等结构中，高原子序数材料在低能X射线的辐照下，会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应，从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件，在X射线和γ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系。并对实验结果进行了比较，得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线，对剂量增强效应进行了有益的探讨。
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| 关 键 词： | X射线 总剂量 剂量增强 |
| 文章编号： | 0258-0934(2005)06-0846-03 |
| 修稿时间： | 2004年10月11 |
Dose enhancement effect research of X-ray for Kovar-lidded CMOS devices |
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| LUO Yin-hong,GONG Jian-cheng,HE Bao-ping,GUO Hong-xia.Dose enhancement effect research of X-ray for Kovar-lidded CMOS devices[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2005,25(6):846-849. |
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| Authors: | LUO Yin-hong GONG Jian-cheng HE Bao-ping GUO Hong-xia |
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| Keywords: | X-ray total dose dose-enhancement |
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