| NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究 |
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| 引用本文： | 李冬梅, 王志华, 皇甫丽英, 勾秋静, 雷有华, 李国林,. NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究[J]. 电子器件, 2007, 30(3): 748-751 |
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| 作者姓名： | 李冬梅 王志华 皇甫丽英 勾秋静 雷有华 李国林 |
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| 作者单位： | 清华大学,电子工程系,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助（60372021/F010204） |
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| 摘 要： | 采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.
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| 关 键 词： | NMOS晶体管 辐照效应 总剂量 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）03-0748-04 |
| 修稿时间： | 2006-06-06 |
Total Dose Effects with High Dose Rate in NMOS Transistors |
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| LI Dong-mei,WANG Zhi-hu,HUANGFU Li-ying,GOU Qiu-jing,LEI You-hu,LI Guo-lin .. Total Dose Effects with High Dose Rate in NMOS Transistors[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(3): 748-751 |
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| Authors: | LI Dong-mei WANG Zhi-hu HUANGFU Li-ying GOU Qiu-jing LEI You-hu LI Guo-lin . |
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| Affiliation: | 1. Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084,China ; 2. Institute of Microelectronics , Tsinghua University, Beijing 100084,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NMOS transistors radiation effect Total Dose Effects |
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