| 基于CMOS工艺的RFID双频低噪声放大器设计与仿真 |
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| 引用本文： | 裴世锋,南敬昌,毛陆虹.基于CMOS工艺的RFID双频低噪声放大器设计与仿真[J].微电子学与计算机,2012,29(6):23-27. |
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| 作者姓名： | 裴世锋 南敬昌 毛陆虹 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院,辽宁葫芦岛,125105
2. 天津大学电子信息工程学院,天津,200072 |
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| 基金项目： | 辽宁省博士启动资金，国家“八六三”计划项目 |
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| 摘 要： | 设计出一种可应用于RFID系统,同时工作在915 MHz和2.45 GHz的双频段低噪声放大器.该设计以最大程度降低噪声为目标,采用并联LC网络替代传统单一高感值电感,并引入电流复用技术,最终实现高增益低功耗的双频段低噪声放大器的设计目标.仿真结果如下:在915MHz和2.45GHz的频率下,噪声系数均小于0.6dB;S(1,1)小于—15dB;S(2,2)小于—11dB;输入驻波比≤1.4;输出驻波比≤1.8;1dB压缩点约为—16.5dBm.仿真结果表明,在两个频段中的测试结果均优于预期指标的要求,为实际双频段低噪声放大器的设计及优化提供参考。
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| 关 键 词： | RFID系统 双频段 低噪声放大器 并联LC网络 电流复用技术 |
Design and Simulation of RFID Dual-band LNA Based on CMOS Process |
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| PEI Shi-feng,NAN Jing-chang,MAO Lu-hong.Design and Simulation of RFID Dual-band LNA Based on CMOS Process[J].Microelectronics & Computer,2012,29(6):23-27. |
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| Authors: | PEI Shi-feng NAN Jing-chang MAO Lu-hong |
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| Affiliation: | 1 School of Electrics and Information Engineering,Liaoning Technical University,Huludao 125105,China; 2 School of Electrics and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RFID dual band low-noise amplifier parallel LC network current reuse |
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