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| 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计 | |
| 引用本文： | 陈天佐,吴玉平,陈岚.基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计[J].微电子学与计算机,2012,29(7):51-54. |
| 作者姓名： | 陈天佐 吴玉平 陈岚 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| 摘 要： | 基于预放大正反馈锁存比较理论,给出了一种8bit 8Gs/s高速比较器的设计.该比较器采用预放大器结构以提高分辨率、加快比较过程,采用主从锁存器降低亚稳态发生概率,采用输出缓冲器改善输出波形、提供测试接口;在HHNEC 0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,采用Cadence Spectre进行仿真,结果显示,该比较器精度为4mV,输出摆幅±300mV,锁存时间37ps,过驱动恢复时间22ps,功耗约57mW,表现出良好的性能. |
| 关 键 词： | 锗硅 高速比较器 主从锁存器 精度 |
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