| 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究 |
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| 引用本文： | 王立新,高博,刘刚,韩郑生,张彦飞,宋李梅,吴海舟. 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究[J]. 核技术, 2012, 0(6): 434-437 |
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| 作者姓名： | 王立新 高博 刘刚 韩郑生 张彦飞 宋李梅 吴海舟 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 |
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| 摘 要： | 对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求。
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| 关 键 词： | 功率VDMOS器件 SEGR效应 加速器 注量率 |
Single event effects of power VDMOS device used in satellites |
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| WANG Lixin,GAO Bo,LIU Gang,HAN Zhengsheng,ZHANG Yanfei,SONG Limei,WU Haizhou. Single event effects of power VDMOS device used in satellites[J]. Nuclear Techniques, 2012, 0(6): 434-437 |
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| Authors: | WANG Lixin GAO Bo LIU Gang HAN Zhengsheng ZHANG Yanfei SONG Limei WU Haizhou |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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