| 电力电子器件绝缘栅双极晶体管的应用与保护（续完） |
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| 引用本文： | 钱金川,朱守敏. 电力电子器件绝缘栅双极晶体管的应用与保护（续完）[J]. 江苏电器, 2008, 0(3): 50-53 |
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| 作者姓名： | 钱金川 朱守敏 |
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| 作者单位： | 1. 上海高企电器有限公司,上海,201602
2. 浙江泰华电器有限公司,浙江,乐清,325604 |
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| 摘 要： | 3．2 IGBT栅极与发射极并接电阻R1当IGBT栅极与发射极呈开路时，而在其集电极与发射极之间加上电压，随着集电极电位的变化，由于器件是一种MOS栅器件有其特征电容CRES（反转电容）存在（CRES=CCG），使得栅极电位升高，引起IGBT的dv/dt开通，则C—E有电流流过。这时若集电极和发射极处于高压状态，可能会使IGBT发热甚至损坏。
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| 关 键 词： | 电力电子器件 绝缘栅双极晶体管 IGBT 保护 应用 发射极 电极电位 电位升高 |
| 收稿时间： | 2007-08-02 |
| 修稿时间： | 2007-08-02 |
Application and Protection of Power Electronic Device Insulated Gate Bipolar Transistor(End) |
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| QIAN Jin-chuan,ZHU Shou-min. Application and Protection of Power Electronic Device Insulated Gate Bipolar Transistor(End)[J]. , 2008, 0(3): 50-53 |
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| Authors: | QIAN Jin-chuan ZHU Shou-min |
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