|
|||||
|
|
| 在烧结过程中控制MgB2磁通钉扎特性 | |
| 作者姓名： | 刘春芳 |
| 摘 要： | 为了用MgB２制做实用装置，必须制备在高磁场下具有高临界电流密度的MgB２超导材料。很多类型的晶体缺陷，例如堆垛层错、晶界、非超导第二相等都可起到有效的磁通钉扎中心的作用。为创造晶体缺陷，在超导体中起局域钉扎中心的作用，可以使用各种方法，例如化学掺杂、离子、中子、脉冲激光以及电子辐照等等。有些技术已在MgB２系统中获得了成功。可是，这些技术虽然提高了MgB２高磁场下的临界电流密度，但却降低了材料的转变温度TC。最近，美国洛斯阿拉莫斯（LosAlamos）国家实验室，超导技术中心研究出一种在烧结过程中直接产生有效的… |
| 关 键 词： | 烧结 控制 MgB2 磁通钉扎特性 超导材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《稀有金属材料与工程》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《稀有金属材料与工程》下载全文 | |