2~3μm AlSi的反应离子刻蚀及实用化技术研究 |
| |
引用本文: | 郑闽,马宏.2~3μm AlSi的反应离子刻蚀及实用化技术研究[J].微电子学,1994,24(5):64-69. |
| |
作者姓名: | 郑闽 马宏 |
| |
作者单位: | 中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| |
摘 要: | 在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2、SiCl_4为主要刻蚀气体进行了Al-Si1.2%的反应离子刻蚀,研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上,本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进行了实用化应用研究,并得到了最佳的刻蚀程序。最小加工线条宽度达到1.5μm,实用达2~3μm,体刻蚀率大于1μm/min,均匀性小于±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2和AE1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比分别达8:1和3:1。此技术已用于多种多批量电路的制作工艺之中,效果良好。
|
关 键 词: | 反应离子刻蚀 高聚物 各向异性 腐蚀 刻蚀 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|