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| 液相外延生长的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构的俄歇电子谱研究 | |
| 引用本文： | 余金中,鞠静丽,石志文,马国荣,刘福源,王维明.液相外延生长的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构的俄歇电子谱研究[J].半导体光电,1981(2). |
| 作者姓名： | 余金中 鞠静丽 石志文 马国荣 刘福源 王维明 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (余金中，鞠静丽，石志文，马国荣，刘福源)，中国科学院半导体研究所(王维明) |
| 摘 要： | 我们采用俄歇电子能谱仪对液相外延生长的GaAs—Al_xGa_(1-x)As异质结构进行了研究。结果表明:在异质结界面处有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,过渡层的厚度依赖于溶液的饱和度。还对外延片表面的沾污情况进行了观测分析。 |
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