| Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心 |
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| 引用本文： | 王海龙,司俊杰,封松林.Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心[J].半导体学报,1999,20(9):737-744. |
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| 作者姓名： | 王海龙 司俊杰 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室!北京100083(王海龙，封松林)，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室!北京100083(司俊杰) |
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| 摘 要： | 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格样品中深能级中心的性质．在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心．在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品中深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ，Ｅ３的能级位置为ＥＣ－０．２２ｅＶ．并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失观测到一个少数载流子峰ＳＨ１，其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ．在Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格中，深中心Ｈ１的能级位置为ＥＶ＋０．４４ｅＶ，深中心Ｈ２的能级位置为ＥＶ＋０．２４ｅＶ
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