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| InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术 | |
| 引用本文： | 陈建新,林春,何力.InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术[J].红外与激光工程,2011,40(5):786-790. |
| 作者姓名： | 陈建新 林春 何力 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所成像材料与器件国防重点实验室,上海,200083 |
| 摘 要： | 由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰.近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验.改变超晶格的周期,它的吸收截止波长可覆盖3～30μm的宽广范围.由于现代分子束外延材料生长技术,可以在单原子层的... |
| 关 键 词： | Ⅱ类超晶格 红外探测器 半导体 |
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