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| 等离子体源离子植入中的关键问题 | |
| 引用本文： | Rej.,DJ 思虹.等离子体源离子植入中的关键问题[J].国外核聚变与等离子体应用,1999(3):72-80. |
| 作者姓名： | Rej. DJ 思虹 |
| 摘 要： | 等离子体源离子植入（ＰＳＩＩ）是一项用于材料表面改性的可按比例增大的非视线方法，本文中，我们研究了在ＰＳＩＩ大规模商用应解决的三个重要问题，它们是：（１）植入保形性；（２）离子源和（３）级电子发射，为了确保复杂形状物体上的均匀的植入剂量，离子鞘层厚度必须足够小，这个标准对离子源和脉冲电源提出了要求，至今，另一个局限是除了Ｂ，Ｃ，Ｎ和Ｏ外其他类型离子的可用性，可能的解决办法是使用金属电弧蒸发源和在高 |
| 关 键 词： | 等离子体源 离子植入 离子源 胞中粒子计算 |
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