| O2反应离子深刻蚀PMMA |
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| 引用本文： | 俞爱斌,丁桂甫,杨春生,郭晓芸,李昌敏,毛海平,倪智萍. O2反应离子深刻蚀PMMA[J]. 微细加工技术, 2000, 0(3): 39-43 |
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| 作者姓名： | 俞爱斌 丁桂甫 杨春生 郭晓芸 李昌敏 毛海平 倪智萍 |
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| 作者单位： | 上海交通大学信息存储研究中心薄膜与微细加工开放实验室上海200030 |
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| 摘 要： | 高深度比结构是提高微器性能的重要环节之一。利用ＲＩＥ深刻技术和工具有高深宽比结构的图形，方法简单：它不像ＬＩＧＡ技术那样，需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板，对光刻胶的要求也不是特别高，利用这种技术深刻蚀ＰＭＭＡ膜，以Ｎｉ作掩模，采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ｎｉ掩模图形化，然后利用Ｏ２ＲＩＥ技术刻蚀ＰＭＭＡ，可以得到深度达１００μｍ，深度比大于１０的微结构，图形表面平整，侧壁光滑垂直
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| 关 键 词： | 反应离子刻蚀 高深度比 微结构 PMMA 氧气 |
| 文章编号： | 1003-8213(2000)03-0039-06 |
| 修稿时间： | 2000-01-06 |
Deep O2RIE PMMA Micro-structures |
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